Vishay IRFR/U Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 87
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp 5,051En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp 16,175En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 2.0 Amp 7,212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.1 Amp 3,495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3.1 A 1.8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 7.7 Amp 3,106En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 100V 4.3 Amp 36En existencias
2,000Se espera el 16/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 200V 4.8 Amp 2,655En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 3.6A P-CH MOSFET 2,496En existencias
1,500Se espera el 23/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 200 V 3.6 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 600V 2A N-CH 2,710En existencias
3,000Se espera el 23/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 200V 4.8A N-CH MOSFET 2,452En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 200 V 4.8 A 800 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 60V 5.1 Amp 1,332En existencias
3,000Se espera el 19/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 60 V 5.1 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 60V 7.7A 2,511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 4.3A N-CH MOSFET 1,859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 600V 1.4 Amp 1,324En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 1.4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 1.7 Amp 1,509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 1.7 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V 2,997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 7.7 Amp 2,435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 7.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO251 N-CH 60V 14A 1,646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 25 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 1.7 Amp 567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 400 V 1.7 A 3.6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V 5.6 Amp 176En existencias
6,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V 3.1 Amp
5,988Se espera el 6/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 100 V 3.1 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 8.7 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 5.6A P-CH MOSFET
2,778Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 5.6 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 250V 2.7 Amp
11,913En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
6,000Se espera el 12/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 2.7A P-CH MOSFET
7,900Se espera el 12/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 250 V 2.7 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 14 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel