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µModule Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

Resultados: 984

Filtros aplicados:

Nombre comercial = µModule

Fabricante

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Configuración

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente

Voltaje de corte puerta-fuente

Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Dp - Disipación de potencia

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Serie

Calificación

Empaquetado

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Activo

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µModule Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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Recursos

Soporte

CPH-3
CPH-6
D2PAK-7
MCPH-3
MCPH-5
MO-229-8
SC-59
SC-59-3
SC-70
SC-70-3
SC70-5
SC-74
SMD-3
SMV-5
SOIC-8
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-5
SOT-23-6
SOT-323-3

- 800 mV
- 600 mV
400 mV
- 60 V
- 40 V
- 30 V
- 25 V
- 15 V
- 10 V
- 5 V
- 1.3 V
3.3 V
5 V
10 V
15 V
20 V
25 V
30 V
35 V
40 V

- 300 V
- 200 V
- 60 V
- 50 V
- 40 V
- 35 V
- 30 V
- 30 V to 30 V
- 25 V
- 25 V to 25 V
- 20 V
- 20 V to 3 V
- 15 V
1.5 V
3 V, 20 V
10 V
15 V
20 V
25 V
30 V

- 900 mV
- 800 mV
- 700 mV
- 600 mV
- 500 mV to - 2.5 V
- 300 mV
- 200 mV
6 mV
8 mV
750 mV to 6 V
- 15 V
- 10 V
- 9 V
- 8 V
- 7 V
- 6.5 V
- 6.3 V
- 6 V
- 5 V
- 4.5 V

2.2 uA
3.5 uA
4 uA
5 uA
6 uA
13 uA
20 uA
90 uA
240 uA
300 uA
600 uA
- 135 mA
- 125 mA
- 90 mA
- 70 mA
- 60 mA
- 50 mA
- 35 mA
- 25 mA
- 20 mA

- 100 pA
100 pA
500 pA
- 10 nA
- 1 nA
1 nA
4 nA
10 nA
200 nA
- 200 uA
- 1 uA
1 uA
30 uA
50 uA
100 uA
200 uA
400 uA
500 uA
- 25 mA
- 15 mA

4.3 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
5.3 mOhms
7.1 mOhms
7.6 mOhms
8.4 mOhms
10 mOhms
25 mOhms
35 mOhms
60 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
80 mOhms
90 mOhms
400 mOhms
5 Ohms
7 Ohms
8 Ohms
10 Ohms

100 mW
150 mW
200 mW
225 mW
250 mW
300 mW
310 mW
350 mW
360 mW
375 mW
400 mW
460 mW
480 mW
500 mW
500 mW (1/2 W)
625 mW
650 mW
750 mW
800 mW
1.8 W

2N/PN/SST4391
2N26
2N3459
2N3821
2N397
2N409
2N4093
2N411
2N422
2N43
2N4391
2N4393
2N4416
2N4416A
2N485
2N4856
2N486
2N50
2N51
2N5459