STMicroelectronics IGBTs

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
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419En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 60 A 200 W - 55 C + 150 C STGW30NC60WD Tube
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL MFT
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338En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 55 C + 150 C STGW39NC60VD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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452En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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121En existencias
600Se espera el 15/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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1,138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Hoja de datos
600En existencias
600Se espera el 15/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H65FB Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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Comentarios de Producto
414En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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Comentarios de Producto
467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
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936En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 52 A 208 W - 55 C + 150 C STGWA19NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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950En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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406En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Hoja de datos
437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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400En existencias
600Se espera el 23/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 100 A 300 W - 55 C + 175 C HB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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1En existencias
600Se espera el 1/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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848En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 30 V, 30 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWT40HP65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
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74En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 120 A 469 W - 55 C + 175 C STGWT80H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
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283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube