IGBTs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado

onsemi IGBTs FS3 TIGBT Excellent switching performan
Hoja de datos
502En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 455 W - 55 C + 175 C FGH75T65SHDTL4 Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Hoja de datos
413En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
432En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 75 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 medium switching speed IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGHL50T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
Hoja de datos
310En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 30 V, 30 V 110 A 385 W - 55 C + 175 C FGH4L75T65MQDC50 Tube

onsemi IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
Hoja de datos
384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.55 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 55 C + 175 C FGH4L40T120LQD Tube

onsemi IGBTs 650V/75 FAST IGBT
Hoja de datos
267En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDNL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
Hoja de datos
259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.78 V - 20 V, 20 V 160 A 454 W - 55 C + 175 C FGH40T120SQDNL4 Tube

onsemi IGBTs IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
Hoja de datos
450Se espera el 19/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBTs FS4 T TO247 50A 650V 4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 268 W - 55 C + 175 C FGH4L50T65SQD Tube