Taiwan Semiconductor GaN FETs

Resultados: 4
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Modo canal
Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor 2,993En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT PDFN-6 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, PDFN88, E-mode GaN Transistor 2,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 195 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 2.2 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 68 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 6.7 nC - 55 C + 150 C Enhancement
Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 9,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 110 mOhms - 10 V, + 7 V 2.6 V 4 nC - 55 C + 150 C Enhancement