|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
- R6020ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.30
-
5,811En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
|
|
5,811En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20 A
|
196 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 155 C
|
68 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET
- R6006KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.88
-
1,963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6006KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 6A N-CH MOSFET
|
|
1,963En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
6 A
|
830 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
12 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
- R6009KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.48
-
1,727En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6009KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
|
|
1,727En existencias
|
|
|
$3.48
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
9 A
|
535 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
16.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
48 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
- R6504ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.77
-
1,987En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6504ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
|
|
1,987En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
4 A
|
1.05 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
- R6515KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.59
-
3,954En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6515KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
|
|
3,954En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
15 A
|
315 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
27.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
- R6020KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$5.07
-
936En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6020KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
|
|
936En existencias
|
|
|
$5.07
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.61
|
|
|
$2.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
20 A
|
196 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
- R6504KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.77
-
1,959En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6504KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 4A N-CH MOSFET
|
|
1,959En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
4 A
|
1.05 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
40 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
- R6520KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.10
-
1,739En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6520KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
|
|
1,739En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
205 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET
- R8009KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$5.08
-
1,369En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R8009KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET
|
|
1,369En existencias
|
|
|
$5.08
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
9 A
|
600 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
27 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
59 W
|
Enhancement
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
- R6015ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$4.52
-
3,431En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6015ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
|
|
3,431En existencias
|
|
|
$4.52
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
15 A
|
290 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 155 C
|
60 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET
- R6507ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.86
-
1,974En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6507ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 7A N-CH MOSFET
|
|
1,974En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7 A
|
665 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
46 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET
- R6511KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.41
-
1,958En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6511KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 11A N-CH MOSFET
|
|
1,958En existencias
|
|
|
$3.41
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
400 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
53 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A
- RQ3G110ATTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.32
-
3,527En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3G110ATTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A
|
|
3,527En existencias
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.967
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.738
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSMT-8
|
P-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
35 A
|
12.4 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
46 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
20 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- RSS065N06HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.18
-
2,510En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RSS065N06HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,510En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.675
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOP-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
6.5 A
|
37 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 3A N-CH MOSFET
- R8003KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.35
-
1,988En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R8003KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 3A N-CH MOSFET
|
|
1,988En existencias
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
3 A
|
1.8 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
11.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
36 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
- R6011ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.31
-
8,034En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6011ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
|
|
8,034En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
11 A
|
390 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
32 nC
|
- 55 C
|
+ 155 C
|
53 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
- R6015KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.59
-
2,897En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6015KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 15A N-CH MOSFET
|
|
2,897En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
15 A
|
290 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
27.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
- R6509KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.34
-
3,941En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6509KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
|
|
3,941En existencias
|
|
|
$3.34
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
9 A
|
585 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
16.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
48 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
- R8002KND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.11
-
5,082En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R8002KND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 800V 1.6A N-CH MOSFET
|
|
5,082En existencias
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.912
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.645
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
1.6 A
|
4.2 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
7.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch
- R8011KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$5.83
-
1,750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R8011KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch
|
|
1,750En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
11 A
|
450 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
65 W
|
Enhancement
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
- R6509ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.05
-
1,964En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-R6509ENXC7G
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ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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1,964En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-220FM-3
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N-Channel
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1 Channel
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650 V
|
9 A
|
585 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
24 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
48 W
|
Enhancement
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Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
- R6520ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$5.81
-
682En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-R6520ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
|
|
682En existencias
|
|
|
$5.81
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.58
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Si
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Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
20 A
|
205 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
61 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
68 W
|
Enhancement
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|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
- RQ3P300BHTB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.15
-
4,594En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-RQ3P300BHTB1
|
ROHM Semiconductor
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 30.0A(Id), (6.0V, 10V Drive)
|
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4,594En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.12
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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|
Si
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SMD/SMT
|
HSMT-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
39 A
|
15.5 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4 V
|
18 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
32 W
|
Enhancement
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|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
- RSS130N03HZGTB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.86
-
2,215En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RSS130N03HZGTB
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
|
|
2,215En existencias
|
|
|
$2.86
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.98
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
SOP-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
13 A
|
8.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.5 V
|
25 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
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|
Reel, Cut Tape
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
- R6530KNXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.89
-
1,219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6530KNXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
|
|
1,219En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FM-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
30 A
|
140 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
5 V
|
56 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
86 W
|
Enhancement
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|
|
Tube
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