Microchip Diodos Schottky de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Configuración
If - Corriente directa
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión directa
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo
Ir - Corriente inversa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 15 A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150

Through Hole TO-220-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 20 A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

Through Hole TO-220-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 115 A 6 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 20 A TO-268
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 90
Mult.: 90

Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 3300 V 90 A TO-247 MAX
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole T-MAX Single 184 A 3.3 kV 2.1 V 615 A 15 uA - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 10 A TO-268
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-268-3 Single 24 A 700 V 1.5 V 58 A - 55 C + 175 C Tube