MOSFETs de SiC – Mouser República Dominicana

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Resultados: 10

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $6.98
971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

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Hoja de datos

971En existencias

$6.98

$6.23

$6.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $60.34
695En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

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695En existencias

$60.34

$60.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC

SCT2H12NZGC11
ROHM Semiconductor
1: $7.33
1,463En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT2H12NZGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT2H12NZGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC

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Hoja de datos

1,463En existencias

$7.33

$4.27

$3.90

$3.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PFM-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

3.7 A

1.5 Ohms

- 6 V, + 22 V

4 V

14 nC

- 55 C

+ 175 C

35 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $28.34
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3030ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

102En existencias

$28.34

$21.24

$19.24

$19.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $37.98
322En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3040KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

322En existencias

$37.98

$29.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $15.43
759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SCT3060ALGC11

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755-SCT3060ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

759En existencias

$15.43

$9.13

$8.94

$8.88

$8.85

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

SCT3080KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $19.79
297En existencias
900Se espera el 24/2/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3080KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

297En existencias

900Se espera el 24/2/2026

$19.79

$13.17

$13.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $52.98
6En existencias
450Se espera el 25/6/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3022ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3022ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

6En existencias

450Se espera el 25/6/2026

$52.98

$35.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

93 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

133 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

SCT3120ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $8.56
92En existencias
450Se espera el 20/5/2026

N.º de artículo del Fabricante
SCT3120ALGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3120ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS

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Hoja de datos

92En existencias

450Se espera el 20/5/2026

$8.56

$5.00

$4.76

$4.58

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

21 A

156 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

38 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

SCT3160KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $6.51
23En existencias
1,350En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SCT3160KLGC11

N.º de artículo de Mouser
755-SCT3160KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

23En existencias

1,350En pedido

$6.51

$5.58

$5.46

$5.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

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