|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
- STU7N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.63
-
1,841En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
|
|
1,841En existencias
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.835
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW33N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$5.65
-
427En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
427En existencias
|
|
|
$5.65
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW58N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.09
-
454En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
454En existencias
|
|
|
$12.09
|
|
|
$9.85
|
|
|
$8.21
|
|
|
$6.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STWA30N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
350En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA30N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
350En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$4.37
|
|
|
$3.67
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA65N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.21
-
589En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
589En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$5.33
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA70N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$14.80
-
596En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
596En existencias
|
|
|
$14.80
|
|
|
$11.05
|
|
|
$9.56
|
|
|
$8.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Triacs Hi temp 12A Triacs
- T1235H-6G
- STMicroelectronics
-
1:
$1.82
-
2,280En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-T1235H-6G
|
STMicroelectronics
|
Triacs Hi temp 12A Triacs
|
|
2,280En existencias
|
|
|
$1.82
|
|
|
$0.872
|
|
|
$0.779
|
|
|
$0.651
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.575
|
|
|
$0.518
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
SMD/SMT
|
D2PAK
|
|
|
|
Triacs 16A Snubberless 800Vrrm 900Vrsm 35mA
- T1635T-8T
- STMicroelectronics
-
1:
$1.64
-
1,903En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-T1635T-8T
|
STMicroelectronics
|
Triacs 16A Snubberless 800Vrrm 900Vrsm 35mA
|
|
1,903En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.781
|
|
|
$0.586
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.458
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-220-3 FP
|
|
|
|
Triacs Sensitive 8 A High Temperature
- T810H-6T
- STMicroelectronics
-
1:
$1.40
-
1,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-T810H-6T
|
STMicroelectronics
|
Triacs Sensitive 8 A High Temperature
|
|
1,990En existencias
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.515
|
|
|
$0.445
|
|
|
$0.413
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
SCR 12 Amp 400 Volt
- TYN412RG
- STMicroelectronics
-
1:
$1.13
-
3,084En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TYN412
|
STMicroelectronics
|
SCR 12 Amp 400 Volt
|
|
3,084En existencias
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.664
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.41
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.377
|
|
|
$0.371
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-220
|
|
|
|
SCR 16 Amp 800 Volt
- TYN816RG
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
1,843En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TYN816
|
STMicroelectronics
|
SCR 16 Amp 800 Volt
|
|
1,843En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$0.876
|
|
|
$0.71
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SCRs
|
|
Through Hole
|
TO-220
|
|
|
|
Triacs 1.0 Amp 800 Volt
- Z0103NA 1AA2
- STMicroelectronics
-
1:
$0.43
-
12,021En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-Z0103NA
|
STMicroelectronics
|
Triacs 1.0 Amp 800 Volt
|
|
12,021En existencias
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.289
|
|
|
$0.171
|
|
|
$0.133
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.087
|
|
|
$0.085
|
|
|
$0.084
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-92
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
- M2P45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$56.30
-
124En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M2P45M12W2-1LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
|
|
124En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Press Fit
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
- M2TP80M12W2-2LA
- STMicroelectronics
-
1:
$49.25
-
127En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M2TP80M12W2-2LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
|
|
127En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
|
Press Fit
|
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
$7.80
-
365En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT070R70HTO
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
365En existencias
|
|
|
$7.80
|
|
|
$5.59
|
|
|
$4.88
|
|
|
$4.74
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.53
|
|
|
$4.65
|
|
|
$4.53
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.00
-
896En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
896En existencias
|
|
|
$9.00
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.91
|
|
|
$4.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STHU65N050DM9AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.48
-
455En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
455En existencias
|
|
|
$9.48
|
|
|
$6.51
|
|
|
$5.25
|
|
|
$4.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
- STO450N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$5.79
-
1,616En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STO450N6F7
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
1,616En existencias
|
|
|
$5.79
|
|
|
$4.24
|
|
|
$3.07
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-LL-8
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
- STPSC4G065UF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.28
-
2,384En existencias
-
5,000Se espera el 6/4/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPSC4G065UF
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode
|
|
2,384En existencias
5,000Se espera el 6/4/2026
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.853
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.741
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.678
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
SMBF-2
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
- STD15N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1:
$2.32
-
2,461En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,461En existencias
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.869
|
|
|
$0.726
|
|
|
$0.691
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
- STD4NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.94
-
2,304En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK50Z
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
|
|
2,304En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.824
|
|
|
$0.664
|
|
|
$0.597
|
|
|
$0.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
- STLD125N4F6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$3.21
-
2,487En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
|
|
2,487En existencias
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
|
|
|
Triacs 20 Amp 700 Volt
- BTA20-700BWRG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.93
-
751En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-BTA20-700BW
NRND
|
STMicroelectronics
|
Triacs 20 Amp 700 Volt
|
|
751En existencias
|
|
|
$2.93
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Triacs
|
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
- STP15N60M2-EP
- STMicroelectronics
-
1:
$2.36
-
1,962En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP15N60M2-EP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
|
|
1,962En existencias
|
|
|
$2.36
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.883
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.734
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.703
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$192.58
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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$192.58
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$157.06
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$155.58
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Min.: 1
Mult.: 1
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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LBB-5
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