|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 4 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 3.3V
- SMDA03Ce3/TR7
- Microchip Technology
-
1:
$1.70
-
88En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-SMDA03CE3/TR7
|
Microchip Technology
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 4 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 3.3V
|
|
88En existencias
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm
- TP2640N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$2.06
-
1,071En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TP2640N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 15Ohm
|
|
1,071En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
- DN2535N3-G-P003
- Microchip Technology
-
1:
$0.99
-
1,804En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2535N3-G-P003
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
|
|
1,804En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.746
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
- TN5335N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.14
-
1,338En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN5335N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
|
|
1,338En existencias
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.697
|
|
|
$0.694
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1.2Ohm
- VN0300L-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.03
-
1,084En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN0300L-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1.2Ohm
|
|
1,084En existencias
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.815
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN0300L-G-P002
- Microchip Technology
-
1:
$1.54
-
1,616En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN0300L-G-P002
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
1,616En existencias
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.935
|
|
|
$0.935
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.912
|
|
|
$0.909
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
- MSC030SDA120BCT
- Microchip Technology
-
1:
$20.34
-
45En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC030SDA120BCT
|
Microchip Technology
|
Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-247
|
|
45En existencias
|
|
|
$20.34
|
|
|
$18.76
|
|
|
$16.38
|
|
|
$16.32
|
|
|
Ver
|
|
|
$16.31
|
|
|
$16.30
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
- LND150N3-G-P013
- Microchip Technology
-
1:
$0.68
-
1,947En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N3-G-P013
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
|
|
1,947En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.514
|
|
|
$0.514
|
|
|
$0.513
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- TN0610N3-G-P013
- Microchip Technology
-
1:
$1.38
-
1,756En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN0610N3-G-P013
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
1,756En existencias
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.852
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 12Ohm
- TN2540N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.56
-
1,554En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN2540N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 12Ohm
|
|
1,554En existencias
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN10KN3-G-P003
- Microchip Technology
-
1:
$0.72
-
2,013En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN10KN3-G-P003
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
2,013En existencias
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.53
|
|
|
$0.417
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.417
|
|
|
$0.416
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
- MSC040SMA120B4
- Microchip Technology
-
1:
$14.80
-
67En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC040SMA120B4
|
Microchip Technology
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
|
|
67En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
|
|
|
Módulos de Diodos SIC SBD 700 V 50 A Dual Parallel SOT-227
- MSC2X51SDA070J
- Microchip Technology
-
1:
$47.76
-
132En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC2X51SDA070J
|
Microchip Technology
|
Módulos de Diodos SIC SBD 700 V 50 A Dual Parallel SOT-227
|
|
132En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Diode Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
SOT-227-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 3Ohm
- VN0104N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.66
-
2,080En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN0104N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 3Ohm
|
|
2,080En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.658
|
|
|
$0.549
|
|
|
$0.528
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.516
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- TP0606N3-G-P002
- Microchip Technology
-
1:
$1.22
-
1,990En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TP0606N3-G-P002
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
1,990En existencias
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.91
|
|
|
$0.73
|
|
|
$0.73
|
|
|
$0.729
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
- MIC94050YM4-TR
- Microchip Technology
-
1:
$0.60
-
2,024En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
998-MIC94050YM4TR
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.8V-Rated Reverse-Blocking PFET
|
|
2,024En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.458
|
|
|
$0.457
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-143-4
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 4 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 5V
- SMDA05CE3/TR7
- Microchip Technology
-
1:
$1.51
-
494En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-SMDA05CE3/TR7
|
Microchip Technology
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 4 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 5V
|
|
494En existencias
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
SOIC-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12 Ohm 0.7A
- TP5322N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.86
-
2,605En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TP5322N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220V 12 Ohm 0.7A
|
|
2,605En existencias
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.588
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V
- VN0109N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.66
-
1,963En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN0109N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL ENHANCE-MODE 90V
|
|
1,963En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.648
|
|
|
$0.557
|
|
|
$0.529
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.507
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN2222LL-G-P013
- Microchip Technology
-
1:
$0.64
-
2,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2222LLG-P013
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
2,585En existencias
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.444
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.387
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.405
|
|
|
$0.387
|
|
|
$0.386
|
|
|
$0.385
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
- MSC040SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
$25.15
-
44En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-MSC040SMA120S
|
Microchip Technology
|
MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-268
|
|
44En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 5 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 24V
- SMDA24C-5e3/TR7
- Microchip Technology
-
1:
$1.32
-
738En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-SMDA24C-5E3/TR7
|
Microchip Technology
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS array 5 line Bi-dir, 300W (8/20us), Stand-off voltage = 24V
|
|
738En existencias
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm
- TN0106N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.88
-
1,893En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN0106N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 3Ohm
|
|
1,893En existencias
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.825
|
|
|
$0.788
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.748
|
|
|
$0.701
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
- TP2435N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.84
-
1,391En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TP2435N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 15Ohm
|
|
1,391En existencias
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN10KN3-G-P002
- Microchip Technology
-
1:
$0.72
-
3,153En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN10KN3-G-P002
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
3,153En existencias
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.426
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.425
|
|
|
$0.424
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
|