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TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

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Serie = TSM

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM280NB06LCR RLG

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821-TSM280NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

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$1.22

$0.762

$0.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.15
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TSM110NB04LCR RLG

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821-TSM110NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

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$1.15

$0.672

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Envase tipo carrete

$0.319

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM033NB04CR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM036N03PQ56 RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

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Taiwan Semiconductor
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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

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Taiwan Semiconductor
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TSM025NB04LCR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

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TSM033NB04LCR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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TSM045NB06CR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

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Taiwan Semiconductor
5,000: $0.782
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

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TSM048NB06LCR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

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$0.782

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TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
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N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04CR RLG

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

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TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
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TSM070NB04LCR RLG

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Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

$1.46

$0.921

$0.612

$0.48

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$0.39

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PDFN56-8

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1 Channel

40 V

75 A

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1 V

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TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.304
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

$0.304

Min.: 5,000
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

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AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.56
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.56

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Envase tipo carrete

$0.417

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Min.: 1
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

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- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
90,000: $0.388
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$0.388

Min.: 90,000
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: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.22

$0.762

$0.50

$0.388

Envase tipo carrete

$0.311

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.22
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$1.22

$0.762

$0.50

$0.388

Envase tipo carrete

$0.311

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: $0.304
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

$0.304

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: $1.22
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

$1.22

$0.762

$0.50

$0.388

Envase tipo carrete

$0.295

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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