G2R1000MT33J-TR

GeneSiC Semiconductor
905-G2R1000MT33J-TR
G2R1000MT33J-TR

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Navitas Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Marca: GeneSiC Semiconductor
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: G2R
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
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Atributos seleccionados: 0

PCN

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

3300V SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.

En existencias: 83

Existencias:
83
Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
800
Se espera el 19/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$19.76 $197.60
$19.07 $476.75
$18.76 $1,876.00
$18.02 $9,010.00
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