09P06PL Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
Hoja de datos
601En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 9.7 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement SIPMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -60V 9.7A DPAK-2
Hoja de datos
2,464En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 9.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel