HiPerFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Módulos MOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Módulos MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET MBLOC 500V 68A N-CH POLARP2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227B-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 0V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A OVERMOLDED TO-220
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V/270A TrenchT3
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnct XClass TO-220AB/FP
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChHiPerFET-Polar3 TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltrJnctX3Class TO-220AB/FP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3