HiPerFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 300V 150A N-CH X3CLASS
300Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
298Se espera el 25/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
258Se espera el 25/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
300Se espera el 15/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
300Se espera el 12/5/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 230A 200V
368Se espera el 13/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
548En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
650Se espera el 22/6/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
690En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET
300Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds
80Se espera el 26/2/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id14 BVdass800
240Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 150A N-CH X3CLASS
89Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 22A
300Se espera el 10/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH POLAR3
28Se espera el 10/11/2026
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
196Se espera el 19/8/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V
300Se espera el 27/3/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Módulos MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET Plazo de entrega 26 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 50A N-CH X3CLASS Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Littelfuse Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 150V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263 Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)