HiPerFET Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 827
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 36A N-CH X3CLASS 86En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 300V 38A N-CH X3CLASS 40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET 222En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A 83En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V 181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET 171En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds 12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 100A N-CH X3CLASS 89En existencias
300Se espera el 3/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds 280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds 140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds 50En existencias
1,350Se espera el 13/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds 145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds 28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 HiperFET Power MOSFET 200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds 73En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 180A N-CH X3CLASS 95En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A 16En existencias
870Se espera el 17/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET 116En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds 186En existencias
90Se espera el 8/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2 185En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800 20En existencias
1,590En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 28A 0.26Ohm PolarP3 Power MOSFET 311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A 77En existencias
2,550Se espera el 28/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A 12En existencias
300Se espera el 23/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A 186En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3