Die Semiconductores

Resultados: 504
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Qorvo TGL4201-02
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-2dB
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

MACOM MA4E931Z2-1261A
MACOM Rectificadores y diodos Schottky Diode,Schottky,ZBD,Chip
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Microchip Technology MMA042AA
Microchip Technology Amplificador de RF 2-26 GHz GaAs MMIC Distributed Self Biased LNA
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 50
Mult.: 50
Qorvo QPA2735D
Qorvo Varios inalámbricos de RF 13.75-18GHzLNADie
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo TGS4302
Qorvo Circuitos integrados de interruptores de RF 27-46 GHz SPDT VPIN Switch
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

Micron Memoria flash tipo NAND SLC 4G 4GX1 TBGA
Hoja de datos
372En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Qorvo GaN FETs DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
Hoja de datos

Qorvo TGP2100
Qorvo Detectores de fase/ tramoyistas 30 GHz 5-Bit Phase Shifter
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 25
Mult.: 25

Qorvo TGA2578
Qorvo Amplificador de RF 2.5-6GHz 30W PAE 40% SSG27dB
Hoja de datos
10En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Low Noise pHEMT Devices
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Qorvo TGA2598
Qorvo Amplificador de RF 6-12GHz PAE 31% GaN Gain 21dB IL 9dB
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

MACOM MA4SW410B-1
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 35dB IL 1.4dB @ 18GHz
Hoja de datos
75En existencias
Min.: 25
Mult.: 25

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

Qorvo GaN FETs DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
Hoja de datos

CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier and Oscillator Applications
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 75 Watt
Hoja de datos

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
Hoja de datos

CML Micro MWT-PH27F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
1En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
MACOM MA4SW410
MACOM Circuitos integrados de interruptores de RF 50MHz-26GHz IL .9dB @20GHz
Hoja de datos
150En existencias
Min.: 50
Mult.: 50

Qorvo TGL4201-06
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Attenuator-6dB
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo TGL4201-10
Qorvo Atenuadores DC-50 GHz Fixed Atten-10dB
Hoja de datos
200En existencias
Min.: 200
Mult.: 200

Qorvo Amplificador de RF 6-18GHz1WdriverAmp
Hoja de datos
77En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Qorvo Amplificador de RF 20W,17.3-21.2GHzPA-die
5En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
2,376En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
Hoja de datos
1,000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000