|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
- SD2942W
- STMicroelectronics
-
1:
$192.62
-
75En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2942W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2942W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
|
|
75En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
15 dB
|
350 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942BW
- STMicroelectronics
-
1:
$145.02
-
16En existencias
-
80Se espera el 21/4/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-STAC2942BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
16En existencias
80Se espera el 21/4/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
250 MHz
|
21 dB
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
STAC244B
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
- BLP9H10S-350AY
- Ampleon
-
1:
$60.49
-
63En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP9H10S-350AY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP
|
|
63En existencias
|
|
|
$60.49
|
|
|
$48.78
|
|
|
$43.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
48 V
|
250 mOhms, 370 mOhms
|
600 MHz to 960 MHz
|
18.6 dB
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
OMP-780-4F-1-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP
- BLC9H10XS-350AY
- Ampleon
-
1:
$88.31
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-350AY
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP
|
|
100En existencias
|
|
|
$88.31
|
|
|
$75.10
|
|
|
$65.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
203 mOhms, 300 mOhms
|
617 MHz to 960 MHz
|
18.1 dB
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP
- BLC9H10XS-350AZ
- Ampleon
-
1:
$86.16
-
35En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC9H10XS-350AZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP
|
|
35En existencias
|
|
|
$86.16
|
|
|
$66.78
|
|
|
$65.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
50 V
|
203 mOhms, 300 mOhms
|
617 MHz to 960 MHz
|
18.1 dB
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
SMD/SMT
|
SOT1273-1-5
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- SD3933
- STMicroelectronics
-
50:
$121.43
-
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
SD3933
N.º de artículo de Mouser
511-SD3933
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
|
|
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
250 V
|
|
200 MHz
|
29 dB
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M177
|
Bulk
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
- BLC10G15XS-301AVTYZ
- Ampleon
-
300:
$75.47
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G15X301AVTYZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 300
Mult.: 300
:
300
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
106.7 mOhms, 211.9 mOhms
|
1.452 GHz to 1.492 GHz
|
15 dB
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
- BLC10G15XS-301AVTZ
- Ampleon
-
60:
$78.92
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLC10G15XS301AVTZ
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
Dual N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
106.7 mOhms, 211.9 mOhms
|
1.452 GHz to 1.492 GHz
|
15 dB
|
350 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT1275-1-7
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
- BLS9G2729L-350U
- Ampleon
-
1:
$211.61
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729L-350U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729L-350/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
30 mOhms
|
2.7 GHz to 2.9 GHz
|
14 dB
|
350 W
|
|
+ 225 C
|
Screw Mount
|
SOT502A-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
- BLS9G2729LS-350U
- Ampleon
-
60:
$130.36
-
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLS9G2729LS-350U
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2729LS-350/SOT502/TRAY
|
|
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
|
|
Min.: 60
Mult.: 60
|
|
|
N-Channel
|
LDMOS
|
|
65 V
|
30 mOhms
|
2.7 GHz to 2.9 GHz
|
14 dB
|
350 W
|
|
+ 225 C
|
SMD/SMT
|
SOT502B-3
|
Tray
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R0
- MACOM
-
50:
$342.51
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
150 mA
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
17 dB
|
350 W
|
|
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501EC-V2-R250
- MACOM
-
250:
$340.84
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
150 mA
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
17 dB
|
350 W
|
|
|
Screw Mount
|
H-36248-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$322.05
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
150 mA
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
17 dB
|
350 W
|
|
|
Screw Mount
|
H-37248-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA123501FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$340.84
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
150 mA
|
105 V
|
100 mOhms
|
1.2 GHz to 1.4 GHz
|
17 dB
|
350 W
|
|
|
Screw Mount
|
H-37248-2
|
Reel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
- IXZR16N60
- ZiLOG
-
30:
$28.04
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXZR16N60
|
ZiLOG
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 30
Mult.: 30
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
18 A
|
600 V
|
530 mOhms
|
|
|
350 W
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
