+ 175 C Semiconductores

Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5KW AECQ-101 TR13 RoHS 1,806En existencias
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: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications 3,518En existencias
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: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V 7,189En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
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: 5,000
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H 2,444En existencias
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: 5,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 3,570En existencias
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Máx.: 3,000


Diodes Incorporated Rectificadores FRED Planar Rectifier TO247 TUBE 30PS 176En existencias
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Máx.: 18

Vishay Semiconductors Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,10V5%,SMFBIDIRTVS 7,932En existencias
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: 10,000

Vishay Semiconductors Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,24V5%,SMFBIDIRTVS 6,662En existencias
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: 10,000

Vishay Semiconductors Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,28V5%,SMFBIDIRTVS 6,832En existencias
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: 10,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 1,906En existencias
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Máx.: 3,000
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 690En existencias
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Vishay Semiconductors Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,17V5%,SMFBIDIRTVS 6,860En existencias
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: 10,000

Vishay Semiconductors Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W,18V5%,SMFBIDIRTVS 6,678En existencias
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: 10,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 350En existencias
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: 2,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 800En existencias
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Máx.: 1,600
Infineon Technologies Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Highly efficient functional safety power management integrated circuit for safety-relevant automotive applications 59En existencias
1,900Se espera el 10/5/2027
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: 1,900

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 700En existencias
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onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE 666En existencias
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Máx.: 67
: 800



onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM 945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
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Máx.: 245
: 1,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL 828En existencias
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Máx.: 83
: 1,500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V 700En existencias
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: 5,000

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC SicG4TO-2202L 990En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mosfet - Power, N-Channel with ESD Protection,60V,853mA 2,100En existencias
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Máx.: 300
: 3,000

Microchip Technology Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3 3En existencias
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V TOLL 10x12 350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000