Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 8 Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs are N-channel, normal level 80V or 100V MOSFETs with very low on-resistance [R_DS(ON)]. The 80V MOSFETs are available in dual-sided cooled packages (WSON-8) while the 100V MOSFET comes in a standard TDSON-8 package. Each package offers superior thermal resistance and is 100% avalanche tested. Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Power MOSFETs feature a soft-recovery diode and are lead-free, halogen-free, and RoHS-compliant.

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Tecnología

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

ISC033N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.20
2En existencias
5,000Se espera el 10/6/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC033N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC033N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package

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Hoja de datos

2En existencias

5,000Se espera el 10/6/2027

Cinta cortada

$3.20

$1.83

$1.41

$1.14

$1.12

Envase tipo carrete

$0.929

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

150 A

3.33 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

179 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.62
693En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF009N10NM8ATMA1

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726-IPF009N10NM8ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

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Hoja de datos

693En existencias

Cinta cortada

$6.62

$3.51

$3.21

$2.98

Envase tipo carrete

$2.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

408 A

0.94 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

255 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

IPF014N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.62
1,284En existencias
Nuevo producto

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IPF014N10NM8ATMA1

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726-IPF014N10NM8ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7

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1,284En existencias

Cinta cortada

$5.62

$2.94

$2.68

$2.53

Envase tipo carrete

$2.26

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

100 V

321 A

1.42 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: $7.10
3,064En existencias
Nuevo producto

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ISC016N08NM8SCATMA1

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726-ISC016N08NM8SCAT

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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3,064En existencias

Cinta cortada

$7.10

$3.79

$3.47

$3.28

$3.00

Envase tipo carrete

$2.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

269 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

IPB018N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.92
630En existencias
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IPB018N10NM8ATMA1

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726-IPB018N10NM8ATMA

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK

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Hoja de datos

630En existencias

Cinta cortada

$4.92

$2.54

$2.31

$2.01

Envase tipo carrete

$1.77

$1.63

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

100 V

176 A

1.76 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in DPAK-7

IPF019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.35
300En existencias
1,000Se espera el 17/9/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPF019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PF019N10NM8ATMA1

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V Normal Level in DPAK-7

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300En existencias

1,000Se espera el 17/9/2026

Cinta cortada

$4.35

$2.61

$2.13

$1.65

Envase tipo carrete

$1.49

$1.35

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.07
15,299En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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Hoja de datos

15,299En pedido

Cinta cortada

$4.07

$2.40

$1.94

$1.61

$1.55

Envase tipo carrete

$1.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

268 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

IPT009N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.14
3,876Se espera el 15/7/2027
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IPT009N10NM8ATMA1

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726-IPT009N10NM8ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL

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3,876Se espera el 15/7/2027

Cinta cortada

$7.14

$4.31

$3.45

$3.13

$3.04

Envase tipo carrete

$2.57

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

484 A

0.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

255 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

ISC019N10NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.00
4,983En pedido
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

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4,983En pedido

Cinta cortada

$5.00

$2.98

$2.40

$2.04

$1.95

Envase tipo carrete

$1.84

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

ISC019N10NM8SCATMA1
Infineon Technologies
1: $6.20
3,980Se espera el 17/9/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N10NM8SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N10NM8SCAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

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3,980Se espera el 17/9/2026

Cinta cortada

$6.20

$3.71

$2.98

$2.67

$2.59

Envase tipo carrete

$2.19

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

PG-WSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

245 A

1.93 mOhms

20 V

3.2 V

106 nC

- 55 C

+ 175 C

268 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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