Tipos de Semiconductores discretos

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja High-speed switching USM IO-0.1A, VR-80V 583,108En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOT-323-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 60V 6A 9.3nC MOSFET 97,721En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja IFM=300mA Automotive; AEC-Q 39,963En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOD-323
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 129,299En existencias
61,800Se espera el 8/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 33,506En existencias
51,000Se espera el 27/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 38,143En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 3.5A 3.2nC MOSFET 11,026En existencias
30,000Se espera el 4/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V 83,584En existencias
162,000Se espera el 16/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V 17,620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP-6
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.9A 7,402En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-6A 1,979En existencias
3,000Se espera el 14/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal Mosfet 12,123En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Mosfet 120En existencias
6,000Se espera el 21/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=3.5A VDSS=100V 1,245En existencias
6,000Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.8A VDSS=20V 4,621En existencias
6,000Se espera el 21/9/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Switching diode SNG Low leak current
202,744En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 8,000

Small Signal Switching Diodes SMD/SMT SOD-523-2
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=60V
5,000Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=34V No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UFM-3
Toshiba 1SS403TPH3F
Toshiba Diodos de Conmutación de Señal Baja Vr=200V If=0.1A Automotive; AEC-Q No en existencias
Min.: 6,000
Mult.: 6,000
: 3,000

Small Signal Switching Diodes SMD/SMT USC-2