Single SiC Semiconductores

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO
Hoja de datos
592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


onsemi IGBTs 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
Hoja de datos
417En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ Módulos de semiconductores discretos SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
Hoja de datos
549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
Hoja de datos
834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
6En existencias
176Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
1,525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Infineon Technologies IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
Hoja de datos
882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Microchip Technology APT100GT120JU3
Microchip Technology Módulos IGBT PM-IGBT-TFS-SOT227
Hoja de datos
23En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1004
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1011
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

Qorvo GaN FETs Redesign of QPD1014
Hoja de datos
80En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 25
: 100

onsemi IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 72
: 800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,397En existencias
1,800En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1,670En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1,099En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UG4SC075005L8S
Hoja de datos
1,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 108
: 2,000

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 54

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
1,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 191
: 2,000

Vishay Semiconductors Módulos MOSFET MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
Hoja de datos
294En existencias
Min.: 1
Mult.: 1