Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor
Tecnología
Ganancia
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25mmPwrpHEMT 200En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40mmPwrpHEMT 300En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mmPwrpHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mmPwrpHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60mmPwrpHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18mmPwrpHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mmPwrpHEMT
100Se espera el 12/11/2026
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

pHEMT Reel