CEL Transistores de radiofrecuencia

Resultados: 14
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Tipo de transistor Tecnología Frecuencia de trabajo Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Ganancia Empaquetado
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C 90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 11,531En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 2,803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead 12,597En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 Si 12 GHz - 55 C + 125 C 14.1 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 6,934En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10,000

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 24 GHz - 55 C + 125 C 13.8 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .3dB Ga 13.7dB -55C +125C 809En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT MICRO-X-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 13.7 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 64En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C 1,907En existencias
15,000Se espera el 28/4/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 12 GHz - 55 C + 125 C 12.2 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
CEL CE3520K3
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .55dB Ga 13.8dB -55C +125C 195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF JFET Transistors pHEMT GaAs Bulk
CEL Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) For NESG270034-AZ No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

RF Bipolar Transistors SMD/SMT Bipolar SiGe
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C No en existencias
Min.: 15,000
Mult.: 15,000
Carrete: 15,000

RF JFET Transistors SMD/SMT minimold-4 pHEMT GaAs 20 GHz - 55 C + 125 C 11.9 dB Reel
CEL NE5550979A-EV04-A
CEL Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz N/A
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Si Bulk
CEL CE7530K2-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

RF JFET Transistors Reel
CEL CE7531K3-C1
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) No en existencias
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
Carrete: 10,000

RF JFET Transistors Reel