STMicroelectronics RF e inalámbricos

Resultados: 572
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
STMicroelectronics AM3GZ300HETR
STMicroelectronics Extremo frontal RF Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

STMicroelectronics ASM5GXZ300HTR
STMicroelectronics Extremo frontal RF Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

STMicroelectronics ASM5GXZ300TR
STMicroelectronics Extremo frontal RF Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

STMicroelectronics BLUENRG-132S
STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Programmable Bluetooth LE 5.2 Wireless SoC Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics BLUENRG-232NS
STMicroelectronics System on a Chip (SoC) RF Bluetooth LE 5.2 Wireless Network Coprocessor Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics EVB-T5DR
STMicroelectronics Herramientas de desarrollo de GNSS / GPS Teseo V Dead Reckoning Evaluation Board Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L051K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L051K5CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.5 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L052K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 2 kW, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L05500CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 550 W, 50 V, HF to 250 MHz RF Power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05750CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L05950CF2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 950 W, 50 V, HF to 500 MHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100

STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 180
Mult.: 180
: 180

STMicroelectronics SD2931-14
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) .500 DIA 4-L W/FLG Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics SD2933-03W
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics ST21NFCDDBGARA9
STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

STMicroelectronics ST21NFCDXBGARA7
STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000

STMicroelectronics ST21NFCJDBGWRA7
STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000