STMicroelectronics RF e inalámbricos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F. N-Ch Trans
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Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600
: 600

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 4 Amp
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
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Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300


STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Dynamic NFC/RFID tag IC with two PWM outputs and 2-Kbit EEPROM
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Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID High performance HF reader / NFC initiator with 1.4 W supporting VHBR and AAT
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 231
Mult.: 1

STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID Automotive high performance HF reader / NFC initiator with 1 W output power supp
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Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000

STMicroelectronics Etiquetas y Transpondedores NFC/RFID High performance NFC universal device and EMVCo reader
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000