NXP RF e inalámbricos

Resultados: 853
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80H 64 MHz Reference Circuit Plazo de entrega 1 semana
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80H-81MHZ Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80H 174-230 MHz Doherty Reference Circuit Plazo de entrega 1 semana
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX1K80N-230MHZ Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRFX600H 87.5-108 MHz Reference Circuit Plazo de entrega 1 semana
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NXP Semiconductors Amplificador de RF Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Amplificador de RF 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Amplificador de RF HV8IC 70W TO270WBL16 Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo RF MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 150
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Herramientas de desarrollo Sub-GHz MRF101AN 50 MHz Reference Circuit Plazo de entrega no en existencias 1 semana
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,300
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1,300
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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NXP Semiconductors System on a Chip (SoC) RF Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
Carrete: 2,000