1 Mbit Memoria RAM magnetorresistiva

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta Tipo de interfaz Tamaño de memoria Organización Ancho de bus de datos Tiempo de acceso Voltaje de alimentación - Mín. Voltaje de alimentación - Máx. Corriente de suministro operativa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,350
Mult.: 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 85 C No en existencias
Min.: 1,056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in FBGA48 package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168

FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 44TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,350
Mult.: 135

TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 1Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C No en existencias
Min.: 1,056
Mult.: 96

TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 35 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,350
Mult.: 135
TSOP-44 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,056
Mult.: 96
TSOP-54 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 85 C AS3001316 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 1,008
Mult.: 168
FBGA-48 Parallel 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 45 ns 2.7 V 3.6 V 12 mA - 40 C + 105 C AS3001316 Tray