8 bit SMD/SMT Memoria RAM magnetorresistiva

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta
Tipo de interfaz
Tamaño de memoria
Organización
Ancho de bus de datos
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Corriente de suministro operativa
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
112En existencias
1,140Se espera el 2/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
535En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3V 128Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
335En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
2En existencias
3,420En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
Hoja de datos
5En existencias
3,420En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3004204 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
Hoja de datos
1,140Se espera el 2/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
810Se espera el 17/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
268Se espera el 18/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3V 32Kx8 Serial Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
10,402Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
675Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
270Se espera el 19/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA 0 C + 70 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies Memoria RAM magnetorresistiva 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
270Se espera el 15/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 8Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 3 Semanas
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3008204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3016204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,200
Mult.: 300

SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva Avalanche High Performance Serial P-SRAM 1Mb in WSON8 package with QSPI - 54MHz interface, 1.8V, -40 C to 85 C
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,365
Mult.: 455

WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Tray
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
: 2,000
SOIC-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel