|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
- ISC016N08NM8SCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.25
-
3,095En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8SCAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
|
|
3,095En existencias
|
|
|
$7.25
|
|
|
$4.55
|
|
|
$3.89
|
|
|
$3.46
|
|
|
$3.34
|
|
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$2.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
- IAUCN04S7N010GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.28
-
3,518En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N010GAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
|
|
3,518En existencias
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.788
|
|
|
Ver
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|
|
$0.63
|
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|
$0.706
|
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|
$0.692
|
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$0.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
- SCTHC250N120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$76.79
-
32En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTHC250N120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
|
|
32En existencias
|
|
|
$76.79
|
|
|
$63.45
|
|
|
$57.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
- TPM1R408RH,LQ
- Toshiba
-
1:
$3.80
-
2,492En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
757-TPM1R408RHLQ
Nuevo producto
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 1.4mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H
|
|
2,492En existencias
|
|
|
$3.80
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
- ISC034N08NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.37
-
7,307En existencias
-
5,000Se espera el 8/10/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC034N08NM7ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
|
|
7,307En existencias
5,000Se espera el 8/10/2026
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.651
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.735
|
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|
$0.712
|
|
|
$0.569
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQJ858AEP-T1_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.84
-
1,906En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ858AEP-T1_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
1,906En existencias
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.747
|
|
|
$0.587
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.516
|
|
|
$0.437
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQM40022EM_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.84
-
690En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQM40022EM_NE3
Nuevo producto
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
690En existencias
|
|
|
$3.84
|
|
|
$2.51
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.53
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
- FDMS8622-NC
- onsemi
-
1:
$1.96
-
2,065En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-FDMS8622-NC
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
|
|
2,065En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$0.922
|
|
|
$0.813
|
|
|
$0.813
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 207
:
3,000
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
- MSCSM120XM31RTBL3NG
- Microchip Technology
-
1:
$300.88
-
3En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
579-SM120XM31RTBL3NG
Nuevo producto
|
Microchip Technology
|
Módulos MOSFET PM-MOSFET-SIC-BL3
|
|
3En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
- NVMFD5877NLWFT1G-UM
- onsemi
-
1:
$1.85
-
945En existencias
-
1,500Se espera el 29/12/2026
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-FD5877NLWFT1G-UM
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
|
|
945En existencias
1,500Se espera el 29/12/2026
|
|
|
$1.85
|
|
|
$0.999
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.764
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 245
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
- NVTFS5C453NLETAG
- onsemi
-
1:
$2.61
-
828En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVTFS5C453NLETAG
Nuevo producto
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V NCH LL IN U8FL
|
|
828En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.67
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 83
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
- iS15M2R5S1T-100B
- iDEAL Semiconductor
-
1:
$7.61
-
50En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
25-IS15M2R5S1T-100B
Nuevo producto
|
iDEAL Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
|
|
50En existencias
|
|
|
$7.61
|
|
|
$5.45
|
|
|
$4.48
|
|
|
$3.70
|
|
|
$3.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUCN10S7L040ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.35
-
5,214En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
5,214En existencias
|
|
|
$3.35
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
- NTHL023N065M3S
- onsemi
-
1:
$12.46
-
3,442En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
|
|
3,442En existencias
|
|
|
$12.46
|
|
|
$8.06
|
|
|
$7.48
|
|
|
$6.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
- ISC037N12NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.70
-
11,144En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC037N12NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
|
|
11,144En existencias
|
|
|
$4.70
|
|
|
$2.48
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.94
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
- NTBG014N120M3P
- onsemi
-
1:
$31.70
-
866En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTBG014N120M3P
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V
|
|
866En existencias
|
|
|
$31.70
|
|
|
$22.77
|
|
|
$18.60
|
|
|
$18.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
- NTH4L020N090SC1
- onsemi
-
1:
$28.33
-
2,233En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L020N090SC1
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
|
|
2,233En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
- SQS146ELNW-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.37
-
14,228En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQS146ELNW-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
14,228En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.823
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.451
|
|
|
$0.368
|
|
|
$0.325
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPB029N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.66
-
1,545En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
1,545En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
- GAN140-650EBEZ
- Nexperia
-
1:
$6.75
-
1,758En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-GAN140-650EBEZ
|
Nexperia
|
GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
|
|
1,758En existencias
|
|
|
$6.75
|
|
|
$4.42
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.38
-
29,717En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
29,717En existencias
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.847
|
|
|
$0.797
|
|
|
$0.724
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.08
-
20,317En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,317En existencias
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.57
|
|
|
$2.46
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.45
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TK1R5R04PB,LXGQ
- Toshiba
-
1:
$3.64
-
14,862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
14,862En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.11
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
- SISA88DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$0.98
-
203,420En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SISA88DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
|
|
203,420En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.449
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.305
|
|
|
$0.236
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon Technologies
-
1:
$1.90
-
56,140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
56,140En existencias
|
|
|
$1.90
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.52
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.475
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|