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TPHR8504PL,L1Q

Name: Toshiba TPHR8504PL,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR8504PLL1Q
Price: 2.33 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPHR8504PLL1Q

Fabricante N.º:

TPHR8504PL,L1Q

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel

Hoja de datos:

TPHR8504PL,L1Q Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.33	$2.33
	$1.58	$15.80
	$1.12	$112.00
	$0.96	$480.00
	$0.938	$938.00
	$0.924	$2,310.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.814	$4,070.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	150 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	850 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	103 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	170 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSIX-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	14 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	13 ns
Serie:	U-MOSIX-H
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	63 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	26 ns
Peso de la unidad:	83 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H MOSFETs

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U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
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Motor Control Applications

Toshiba Motor Control Applications are a portfolio of new-generation devices for motor applications. Included are high-performance MOSFETs for high efficiency in end products. These Toshiba MOSFETs are fabricated using the current Gen-8 trench MOS process, which helps improve the efficiency of power supplies. Features include low drain-source on-resistance, low leakage current, and high avalanche ruggedness.