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GCMS080C120S1-E1

Name: SemiQ GCMS080C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMS080C120S1-E1
Price: 22.2 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

148-GCMS080C120S1-E1

Fabricante N.º:

GCMS080C120S1-E1

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

GCMS080C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	28 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	118 W
Serie:	GCMS
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	31 ns
Altura:	12.19 mm
Longitud:	38.1 mm
Producto:	Power Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Vf - Tensión directa:	2.27 V
Ancho:	25.3 mm

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GCMS080C120S1-E1 Hoja de datos (PDF)

Módulos de potencia MOSFET de SiC GEN3 de 1,200 V

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [R_DS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.