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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
- PTGA090304MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
$40.71
-
No en existencias
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N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV2R5
|
MACOM
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
|
|
No en existencias
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Min.: 500
Mult.: 500
:
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTMC210404MD-V2-R5
- MACOM
-
500:
$46.42
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTMC210404MDV2R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
No en existencias
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Min.: 500
Mult.: 500
:
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
- PTNC210604MD-V1-R5
- MACOM
-
500:
$49.88
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTNC210604MDV1R5
|
MACOM
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
|
|
No en existencias
|
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Min.: 500
Mult.: 500
:
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA084808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$107.78
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084808NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
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Min.: 500
Mult.: 500
:
500
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA084858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$107.78
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084858NFV1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA087008NB-V1-R5
- MACOM
-
500:
$128.58
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NB1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
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|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
- PTRA087008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$124.71
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA087008NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$107.78
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$122.89
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$124.71
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA097058NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
$131.47
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTRA097058NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
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|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA082407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$69.26
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA082407NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA084007NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$96.98
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA084007NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA092407NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
$71.43
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NF1R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
- PTVA092407NF-V2-R5
- MACOM
-
500:
$69.26
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA092407NFV2R5
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120252MT-V1-R1K
- MACOM
-
1,000:
$20.34
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120252MT1RK
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC200902FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$64.42
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC200902FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$58.03
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC200902FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R0
- MACOM
-
50:
$79.82
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201202FC-V2-R250
- MACOM
-
250:
$72.70
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201202FC2R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$93.06
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC201602FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$84.77
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC201602FC1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R0
- MACOM
-
50:
$66.54
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R0
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16080CF2
- STMicroelectronics
-
160:
$60.58
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16080CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
Min.: 160
Mult.: 160
:
160
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
$34.62
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
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Min.: 300
Mult.: 300
:
300
|
|
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