|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
$218.31
-
35En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
35En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$89.95
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
19En existencias
|
|
|
$89.95
|
|
|
$74.97
|
|
|
$71.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
$165.66
-
5En existencias
-
150Se espera el 7/7/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
5En existencias
150Se espera el 7/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
- MRF134
- MACOM
-
1:
$99.47
-
5En existencias
-
360En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF134
N.º de artículo de Mouser
937-MRF134
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
|
|
5En existencias
360En pedido
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
240 Se espera el 21/12/2026
120 Se espera el 8/1/2027
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
|
|
|
$99.47
|
|
|
$82.74
|
|
|
$81.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
$111.63
-
5En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF160
N.º de artículo de Mouser
937-MRF160
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
5En existencias
|
|
|
$111.63
|
|
|
$92.86
|
|
|
$84.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
$359.14
-
14En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
14En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
- UF2840P
- MACOM
-
1:
$146.55
-
2En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
UF2840P
N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
|
|
2En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH31F
- CML Micro
-
1:
$31.85
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH32F
- CML Micro
-
1:
$38.52
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
- MWT-PH33F
- CML Micro
-
10:
$17.33
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
30En existencias
|
|
|
$17.33
|
|
|
$17.30
|
|
|
$14.24
|
|
|
$13.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.20
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
- BLM7G1822S-40PBGY
- Ampleon
-
1:
$44.78
-
45En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
|
|
45En existencias
|
|
|
$44.78
|
|
|
$38.73
|
|
|
$36.82
|
|
|
$32.35
|
|
|
$31.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF461BG
- ARF461BG
- Microchip Technology
-
1:
$59.22
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
$48.82
-
41En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
41En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R0
- MACOM
-
1:
$53.26
-
7En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
7En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
- AFT27S006NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$18.74
-
1,248En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT27S006NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
|
|
1,248En existencias
|
|
|
$18.74
|
|
|
$14.93
|
|
|
$13.98
|
|
|
$13.54
|
|
|
Ver
|
|
|
$12.83
|
|
|
$13.49
|
|
|
$12.83
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
- MRFX035HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$135.34
-
7En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRFX035HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
|
|
7En existencias
|
|
|
$135.34
|
|
|
$105.40
|
|
|
$105.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$4.48
-
147En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
147En existencias
|
|
|
$4.48
|
|
|
$3.33
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.75
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.05
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$62.14
-
8En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
|
|
8En existencias
|
|
|
$62.14
|
|
|
$43.17
|
|
|
$43.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
$177.55
-
1En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 10W PULSE PLD1.5
|
|
1En existencias
|
|
|
$177.55
|
|
|
$150.61
|
|
|
$143.52
|
|
|
$141.61
|
|
|
$131.70
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
onsemi NVJD5121NT1G-M06
- NVJD5121NT1G-M06
- onsemi
-
1:
$0.44
-
16,597En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06
|
onsemi
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
|
|
16,597En existencias
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.269
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.088
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC270101M-V1-R1K
- MACOM
-
1:
$29.03
-
1En existencias
-
Pedido especial de fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK
Pedido especial de fábrica
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
1En existencias
|
|
|
$29.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.79
|
|
|
$24.84
|
|
|
$24.79
|
|
|
$24.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF173
- MACOM
-
1:
$151.11
-
150Se espera el 4/12/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF173
N.º de artículo de Mouser
937-MRF173
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
150Se espera el 4/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
- VRF151
- Microchip Technology
-
1:
$70.13
-
79Se espera el 21/7/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF151
N.º de artículo de Mouser
494-VRF151
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
|
|
79Se espera el 21/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.45
-
2,612Se espera el 9/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
2,612Se espera el 9/7/2026
|
|
|
$44.45
|
|
|
$36.32
|
|
|
$35.40
|
|
|
$31.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.52
-
480Se espera el 9/7/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
480Se espera el 9/7/2026
|
|
|
$87.52
|
|
|
$73.42
|
|
|
$65.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|