|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
- FH2164
- MACOM
-
1:
$171.70
-
17En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
FH2164
N.º de artículo de Mouser
937-FH2164
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz
|
|
17En existencias
|
|
|
$171.70
|
|
|
$143.78
|
|
|
$141.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
- 2SK4037(TE12L,Q)
- Toshiba
-
1:
$6.41
-
426En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-2SK4037TE12LQ
|
Toshiba
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
|
|
426En existencias
|
|
|
$6.41
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
- PXAE263708NB-V1-R2
- MACOM
-
1:
$117.98
-
90En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
|
|
90En existencias
|
|
|
$117.98
|
|
|
$98.63
|
|
|
$95.72
|
|
|
$95.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH8F
- CML Micro
-
10:
$90.91
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH8F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
- PD54003-E
- STMicroelectronics
-
1:
$13.05
-
110En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD54003-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
|
|
110En existencias
|
|
|
$13.05
|
|
|
$7.88
|
|
|
$7.04
|
|
|
$6.99
|
|
|
$6.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
- MWT-PH27F71
- CML Micro
-
1:
$56.04
-
1En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
1En existencias
|
|
|
$56.04
|
|
|
$56.04
|
|
|
$48.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.96
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110En existencias
|
|
|
$175.96
|
|
|
$140.28
|
|
|
$140.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
- BLF981SU
- Ampleon
-
1:
$138.06
-
55En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
|
|
55En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
- BLF981U
- Ampleon
-
1:
$134.82
-
31En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
|
|
31En existencias
|
|
|
$134.82
|
|
|
$113.76
|
|
|
$105.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
$64.23
-
45En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
|
|
45En existencias
|
|
|
$64.23
|
|
|
$53.09
|
|
|
$50.31
|
|
|
$47.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
- CLP24H4S30PXY
- Ampleon
-
1:
$77.83
-
82En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PXY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
|
|
82En existencias
|
|
|
$77.83
|
|
|
$64.69
|
|
|
$61.37
|
|
|
$57.79
|
|
|
$57.13
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.96
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
|
|
$175.96
|
|
|
$140.28
|
|
|
$140.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$196.49
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18En existencias
|
|
|
$196.49
|
|
|
$157.82
|
|
|
$157.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
- VRF150
- Microchip Technology
-
1:
$68.48
-
296En existencias
-
157Se espera el 24/7/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF150
N.º de artículo de Mouser
494-VRF150
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
|
|
296En existencias
157Se espera el 24/7/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$49.87
-
523En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
523En existencias
|
|
|
$49.87
|
|
|
$37.33
|
|
|
$36.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$93.64
-
195Se espera el 23/6/2026
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
195Se espera el 23/6/2026
|
|
|
$93.64
|
|
|
$74.39
|
|
|
$70.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
- SD2932W
- STMicroelectronics
-
1:
$202.66
-
89En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
|
|
89En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
$132.77
-
260En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2933W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
260En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
- TGF2929-FL
- Qorvo
-
1:
$691.85
-
65En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2929-FL
|
Qorvo
|
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
|
|
65En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
- MRF177
- MACOM
-
1:
$313.49
-
352En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF177
N.º de artículo de Mouser
937-MRF177
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
|
|
352En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460AG
- Microchip Technology
-
1:
$56.66
-
86En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
86En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AP1G
- Microchip Technology
-
1:
$45.03
-
400En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
400En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
- ARF475FL
- Microchip Technology
-
1:
$150.41
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
- VRF2933
- Microchip Technology
-
1:
$164.95
-
23En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF2933
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
|
|
23En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
- A3G26D055NT4
- NXP Semiconductors
-
1:
$56.08
-
1,183En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-A3G26D055NT4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
|
|
1,183En existencias
|
|
|
$56.08
|
|
|
$46.07
|
|
|
$43.49
|
|
|
$42.77
|
|
|
Ver
|
|
|
$35.80
|
|
|
$40.82
|
|
|
$39.88
|
|
|
$39.32
|
|
|
$39.29
|
|
|
$35.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|