Power MOSFET Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2,455En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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1,932En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
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2,508En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 64 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement DI100N10PQ Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
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844En existencias
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.64 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 168 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101
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5,000En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 45 V 38 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement AEC-Q101 DI038N04PQ2-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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680En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 9A N-CH MOSFET
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1,369En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 600 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 40V 35A
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2,253En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 12.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 60V 25A
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10,082En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 60 V 25 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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4,170En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 15.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2,510En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 6.5 A 37 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SPR247 500V 36A N-CH MOSFET
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465En existencias
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Si Through Hole Super-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 180 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
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660En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 20 A 9.1 mOhms - 8 V, 8 V 1.1 V 3.8 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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14En existencias
240Se espera el 2/7/2026
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 121 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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99En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Nch+Nch Power MOSFET
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1,000En existencias
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: 1,000

Si SMD/SMT HSML3333L-9 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 5.5 A, 7 A 35 mOhms, 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.8 nC, 8.4 nC - 55 C + 150 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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4,919En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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1,000En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1,970En existencias
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1,219En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 6A N-CH MOSFET
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378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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2,485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AECQ
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Comentarios de Producto
1,486En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 45 V 7 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 48A, 150C, N, AEC-Q101
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4,980En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT PowerQFN 5x6 N-Channel 2 Channel 40 V 48 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 48 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement AEC-Q101 DI048N04PQ2-AQ Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, TO-220AB, 85V, 195A, 175C, N
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909En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 85 V 195 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 140 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement DIT195N08 Tube