|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA127002EV-V1-R250
- MACOM
-
250:
$514.88
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$67.14
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAC210552FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$60.48
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$175.91
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD184218FV-V1-R2
- MACOM
-
250:
$164.33
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXAD214218FV-V1-R0
- MACOM
-
50:
$175.91
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD214218FV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$85.54
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC191507FC-V1-R250
- MACOM
-
250:
$77.92
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PXFC192207FH-V3-R250
- MACOM
-
250:
$116.89
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFC192207FH3R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$70.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
- PXFE181507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$63.42
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
$70.40
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 50
Mult.: 50
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
- PXFE211507FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
$63.42
-
No en existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R2
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 250
Mult.: 250
:
250
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.45
-
Plazo de entrega 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega 53 Semanas
|
|
|
$87.45
|
|
|
$72.86
|
|
|
$68.60
|
|
|
$64.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
- A2T08VD020NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$27.44
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$27.44
|
|
|
$17.98
|
|
|
$15.25
|
|
|
$14.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$11.22
|
|
|
$13.24
|
|
|
$12.46
|
|
|
$11.22
|
|
|
$11.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$31.54
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$31.54
|
|
|
$25.46
|
|
|
$23.94
|
|
|
$22.27
|
|
|
$21.48
|
|
|
$21.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
- MRF1518NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$11.58
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1518NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET PLD1.5N
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$11.58
|
|
|
$8.39
|
|
|
$7.47
|
|
|
$7.11
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.01
|
|
|
$6.79
|
|
|
$6.53
|
|
|
$6.29
|
|
|
$6.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
- MRF6V12500HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$904.30
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$580.07
-
Plazo de entrega 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega 53 Semanas
|
|
|
$580.07
|
|
|
$506.51
|
|
|
$506.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$325.54
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$325.54
|
|
|
$280.41
|
|
|
$269.15
|
|
|
$253.97
|
|
|
$253.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
150
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA084858NF-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA084858NFV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA095908NB-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA095908NBV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA097058NB-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPTRA097058NBV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
- LTA/PXAE261908NF-V1
- MACOM
-
1:
$741.10
-
No en existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-TAPXAE261908NFV1
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included
|
|
No en existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
Microchip Technology VRF161
- VRF161
- Microchip Technology
-
12:
$81.79
-
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
|
N.º de artículo del Fabricante
VRF161
N.º de artículo de Mouser
494-VRF161
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 200 W 175 MHz M174
|
|
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas
|
|
Min.: 12
Mult.: 1
|
|
|
