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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2,180En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
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2,490En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A
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2,400En existencias
Min.: 1
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: 2,500
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2,324En existencias
Min.: 1
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: 2,500

Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
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2,488En existencias
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: 2,500

Littelfuse SCR 12 Amp High Temperature High dvdt SCR-TO252
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2,359En existencias
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Min.: 1
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: 2,500



Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V~1000V TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
2,495En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V~1000V TO252 T&R 2.5K
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2,265En existencias
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Min.: 1
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: 2,500



Diodes Incorporated Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V~1000V TO252 T&R 2.5K
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2,500En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Bourns Diodos Schottky de SiC 650V 6A High Surge SiC diode in TO252
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4,804En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

Bourns Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
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4,945En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

Bourns Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
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4,965En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
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2,423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
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4,936En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
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3,457En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 35A(Id), (4.5V Drive)
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3,698En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2,272En existencias
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET
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3,796En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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2,705En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
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4,969En existencias
Min.: 1
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: 2,500

ROHM Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
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4,797En existencias
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: 2,500

STMicroelectronics Reguladores de tensión lineal 1.2-37V Adj Positive
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79,173En existencias
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: 2,500

Nisshinbo Reguladores de tensión LDO 500mA 2uF 75dB 3.3V 3.3V 45uVrms 0.18V
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2,873En existencias
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: 3,000

Nisshinbo Reguladores de tensión LDO 75dB 45uVrms 500mA 1.0uF 5.0V 1190mW
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2,749En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Littelfuse Triacs 8A 600V Alt TO-252 D-PAK
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2,500En existencias
Min.: 1
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: 2,500