TO-247-4 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
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439En existencias
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Máx.: 45

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
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422En existencias
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Máx.: 45

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
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439En existencias
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Máx.: 45

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
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450En existencias
Min.: 1
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Máx.: 45

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
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87En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V
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13En existencias
240En pedido
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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180En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies IGBTs High speed and low saturation voltage 750 V TRENCHSTOP IGBT7 technology
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153En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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215En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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225En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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173En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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126En existencias
240Se espera el 8/10/2026
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
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118En existencias
480En pedido
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onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
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1,115En existencias
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Máx.: 60

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
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540En existencias
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Máx.: 60

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
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168En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
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373En existencias
480En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
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554En existencias
240En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
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1,377En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
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18En existencias
480En pedido
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
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961En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
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677En existencias
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Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
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480En existencias
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IXYS MOSFETs de SiC TO247 1200V N CH 20A
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546En existencias
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