|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFX78N50P3
- IXYS
-
1:
$19.32
-
150En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFX78N50P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
150En existencias
|
|
|
$19.32
|
|
|
$12.72
|
|
|
$11.35
|
|
|
$10.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
- IXKR47N60C5
- IXYS
-
1:
$33.90
-
300En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXKR47N60C5
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
|
|
300En existencias
|
|
|
$33.90
|
|
|
$27.67
|
|
|
$24.43
|
|
|
$23.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds
- IXTH160N10T
- IXYS
-
1:
$9.55
-
366En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH160N10T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds
|
|
366En existencias
|
|
|
$9.55
|
|
|
$5.24
|
|
|
$4.75
|
|
|
$4.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
- SIHG039N60E-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$12.39
-
1,329En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG039N60E-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
|
|
1,329En existencias
|
|
|
$12.39
|
|
|
$6.98
|
|
|
$6.83
|
|
|
$6.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
- SIHG23N60E-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$6.33
-
644En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG23N60E-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
|
|
644En existencias
|
|
|
$6.33
|
|
|
$4.15
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
- FFSH20120ADN-F085
- onsemi
-
1:
$13.21
-
348En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-FFSH20120ADNF085
|
onsemi
|
Diodos Schottky de SiC 1200V 20A AUTO SIC SBD
|
|
348En existencias
|
|
|
$13.21
|
|
|
$8.23
|
|
|
$7.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO
- NTHL095N65S3HF
- onsemi
-
1:
$9.52
-
851En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL095N65S3HF
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 95MO
|
|
851En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET
- R6061YNZ4C13
- ROHM Semiconductor
-
1:
$10.98
-
594En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6061YNZ4C13
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET
|
|
594En existencias
|
|
|
$10.98
|
|
|
$6.55
|
|
|
$6.18
|
|
|
$6.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.05
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW47N65C3
- Infineon Technologies
-
1:
$12.79
-
260En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
260En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
- UJ3N120070K3S
- onsemi
-
1:
$22.33
-
387En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
431-UJ3N120070K3S
|
onsemi
|
Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
|
|
387En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
- BUTW92
- STMicroelectronics
-
1:
$10.26
-
1,250En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BUTW92
N.º de artículo de Mouser
511-BUTW92
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
|
|
1,250En existencias
|
|
|
$10.26
|
|
|
$7.27
|
|
|
$6.99
|
|
|
$6.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
- STGWA50IH65DF
- STMicroelectronics
-
1:
$4.17
-
983En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50IH65DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
|
|
983En existencias
|
|
|
$4.17
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW24N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$4.32
-
1,031En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
1,031En existencias
|
|
|
$4.32
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW45N60DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$8.01
-
428En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW45N60DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
428En existencias
|
|
|
$8.01
|
|
|
$4.93
|
|
|
$4.22
|
|
|
$3.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW50N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.85
-
660En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW50N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
660En existencias
|
|
|
$7.85
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.51
|
|
|
$3.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
- TN4050HP-12WY
- STMicroelectronics
-
1:
$5.74
-
676En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-TN4050HP-12WY
|
STMicroelectronics
|
SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
|
|
676En existencias
|
|
|
$5.74
|
|
|
$3.32
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
- FCH47N60-F133
- onsemi
-
1:
$13.34
-
618En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH47N60_F133
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
|
|
618En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
- IXFH18N100Q3
- IXYS
-
1:
$23.95
-
262En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
|
|
262En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
- IXFH32N100X
- IXYS
-
1:
$28.01
-
468En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
|
|
468En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
- IXTH140N075L2
- IXYS
-
1:
$32.25
-
303En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH140N075L2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 140A
|
|
303En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
- IXTX110N20L2
- IXYS
-
1:
$38.03
-
247En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTX110N20L2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
|
|
247En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
- IXTX240N075L2
- IXYS
-
1:
$42.87
-
401En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTX240N075L2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc Mosfet N-CH Linear L2 TO-247AD
|
|
401En existencias
|
|
|
$42.87
|
|
|
$36.57
|
|
|
$30.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
SCR Planar Passivated SCR
- BT155W-1200T-AQ
- WeEn Semiconductors
-
1:
$6.16
-
750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BT155W-1200T-AQ
|
WeEn Semiconductors
|
SCR Planar Passivated SCR
|
|
750En existencias
|
|
|
$6.16
|
|
|
$4.04
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.52
|
|
|
$2.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
- SIHG70N60AEF-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$13.64
-
559En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG70N60AEF-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
|
|
559En existencias
|
|
|
$13.64
|
|
|
$9.46
|
|
|
$8.68
|
|
|
$7.74
|
|
|
$7.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIHW
- SIHG70N60EF-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$15.16
-
241En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG70N60EF-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SIHW
|
|
241En existencias
|
|
|
$15.16
|
|
|
$8.72
|
|
|
$8.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
