|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.37
-
641En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
|
|
641En existencias
|
|
|
$7.37
|
|
|
$3.87
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
- STW13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$9.29
-
1,100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
|
|
1,100En existencias
|
|
|
$9.29
|
|
|
$6.34
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW58N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.63
-
454En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
454En existencias
|
|
|
$10.63
|
|
|
$8.95
|
|
|
$8.13
|
|
|
$7.24
|
|
|
$6.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
- STW77N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$17.39
-
495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW77N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh
|
|
495En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STWA65N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.76
-
447En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
447En existencias
|
|
|
$10.76
|
|
|
$5.98
|
|
|
$5.52
|
|
|
$5.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO
- FCH041N60E
- onsemi
-
1:
$14.59
-
780En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH041N60E
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600V, 77A, 41mO
|
|
780En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
- FCH077N65F-F155
- onsemi
-
1:
$11.10
-
1,292En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCH077N65F_F155
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 650V, 77 mOhm, FRFET
|
|
1,292En existencias
|
|
|
$11.10
|
|
|
$7.75
|
|
|
$6.72
|
|
|
$6.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Rectificadores 600V, 60A Ultrafast
- FFH60UP60S3
- onsemi
-
1:
$5.48
-
1,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FFH60UP60S3
|
onsemi
|
Rectificadores 600V, 60A Ultrafast
|
|
1,498En existencias
|
|
|
$5.48
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs INDUSTRY
- IKW15N120BH6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.98
-
2,073En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKW15N120BH6XKSA
|
Infineon Technologies
|
IGBTs INDUSTRY
|
|
2,073En existencias
|
|
|
$3.98
|
|
|
$3.19
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs IGBT PRODUCTS
- IKW50N65H5FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.08
-
4,105En existencias
-
2,160Se espera el 14/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKW50N65H5FKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs IGBT PRODUCTS
|
|
4,105En existencias
2,160Se espera el 14/10/2026
|
|
|
$5.08
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
- IXBH12N300
- IXYS
-
1:
$48.09
-
260En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXBH12N300
|
IXYS
|
IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
|
|
260En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
- IXBH20N300
- IXYS
-
1:
$92.04
-
281En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXBH20N300
|
IXYS
|
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
|
|
281En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
- IXFH20N80P
- IXYS
-
1:
$13.24
-
254En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
|
|
254En existencias
|
|
|
$13.24
|
|
|
$7.98
|
|
|
$7.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
- IXFH46N65X2
- IXYS
-
1:
$13.45
-
350En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
|
|
350En existencias
|
|
|
$13.45
|
|
|
$8.12
|
|
|
$7.20
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
- IXFH72N30X3
- IXYS
-
1:
$14.96
-
221En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH72N30X3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
|
|
221En existencias
|
|
|
$14.96
|
|
|
$9.12
|
|
|
$8.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
- IXTH120N20X4
- IXYS
-
1:
$13.10
-
1,197En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH120N20X4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
|
|
1,197En existencias
|
|
|
$13.10
|
|
|
$7.89
|
|
|
$6.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
- IXTH180N10T
- IXYS
-
1:
$10.29
-
1,295En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH180N10T
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
|
|
1,295En existencias
|
|
|
$10.29
|
|
|
$6.01
|
|
|
$5.35
|
|
|
$4.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
- IXTH48P20P
- IXYS
-
1:
$14.57
-
642En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH48P20P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
|
|
642En existencias
|
|
|
$14.57
|
|
|
$9.62
|
|
|
$8.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
- IXTX120N65X2
- IXYS
-
1:
$28.80
-
213En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTX120N65X2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 650V 120A N-CH X2CLASS
|
|
213En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
- R6030JNZ4C13
- ROHM Semiconductor
-
1:
$11.72
-
446En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6030JNZ4C13
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Recover
|
|
446En existencias
|
|
|
$11.72
|
|
|
$6.43
|
|
|
$6.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
- SCT3030KLGC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$76.33
-
685En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3030KLGC11
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
|
|
685En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
- SCT3040KLHRC11
- ROHM Semiconductor
-
1:
$52.15
-
460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KLHRC11
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
|
|
460En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
- SIHG28N65EF-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$8.86
-
425En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHG28N65EF-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
|
|
425En existencias
|
|
|
$8.86
|
|
|
$5.64
|
|
|
$4.54
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 15A 230V 200W NPN
- MJW3281AG
- onsemi
-
1:
$5.85
-
2,218En existencias
-
1,050Se espera el 18/8/2026
|
N.º de artículo de Mouser
863-MJW3281AG
|
onsemi
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 15A 230V 200W NPN
|
|
2,218En existencias
1,050Se espera el 18/8/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
- NTHL065N65S3HF
- onsemi
-
1:
$13.31
-
446En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL065N65S3HF
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
|
|
446En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|