TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
Hoja de datos
333En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
Hoja de datos
594En existencias
600Se espera el 14/7/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
Hoja de datos
975En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,732En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
Hoja de datos
6,576En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60

IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Hoja de datos
70En existencias
300Se espera el 6/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LinearL2 Powr MOSFET w/extended FBSOA
Hoja de datos
2,759En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1,076En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
1,112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
Hoja de datos
601En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
Hoja de datos
886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,137En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
Hoja de datos
839En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
Hoja de datos
7,762En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7,818En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 30A 45V Rectifier
Hoja de datos
11,782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs 650V40A FS4 IGBT TO-247LL
Hoja de datos
6,656En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,631En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
3,773En existencias
1,350Se espera el 29/6/2026
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
Hoja de datos
5,900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1