HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300 Amps 40V 0.025 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 145 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 200V 78 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 32 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 36 V 380 A 1 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 260 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 200V 50 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 48 A 50 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 700V 4A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 250V 50 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 50 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 78 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 56 Amps 150V 36 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 150 V 56 A 36 mOhms HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 40 mOhms HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 75 V 70 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 46 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 Amps 100V 13.0 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 105 V 80 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchT2 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 80 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 86 Amps 200V 29 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 175 C 480 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 55V 0.0084 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 55 V 90 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 90A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 175 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 Amps 100V 5.4 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6.3 mOhms - 55 C + 175 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 150V 102A N-CH TRENCH
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 87 nC - 55 C + 175 C 455 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 100V 8.5 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 104 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 130 Amps 150V 12 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 130 A 12 mOhms HiPerFET Bulk

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 8 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 20A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube