HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

Resultados: 720
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 800V 0.4 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 100 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 26A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 72 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/30A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 62 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 30A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 90
Mult.: 30

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 46 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 102 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 93 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/50A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 50 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 65 nC 690 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-268AA
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 960 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/60A TO-268HV
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 69 A 49 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 70 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPerFET Power MOSFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXFT80N65X2HV TRL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 400
Mult.: 400
Carrete: 400

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC 890 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-268-3 HiPerFET Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120V 300V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140A 250V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 23 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 200 V 170 A HiPerFET Tube