Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

STP16N65M5
STMicroelectronics
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STP16N65M5

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511-STP16N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 12 Amp

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

299 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V

STP18N65M5
STMicroelectronics
1: $3.99
607En existencias
1,000Se espera el 17/9/2026

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$1.89

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TO-220-3

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220 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

31 nC

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+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET

STW18N65M5
STMicroelectronics
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650 V

9.4 A

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Enhancement

MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5

STW31N65M5
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MDmesh

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STW45N65M5
STMicroelectronics
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273En existencias
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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

STY139N65M5
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A

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N-Channel

1 Channel

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130 A

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625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STF42N65M5
STMicroelectronics
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STF42N65M5

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33 A

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40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

STF34N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS

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28 A

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62.5 nC

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MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

STP11N65M5
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STP11N65M5

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511-STP11N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V

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N-Channel

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650 V

9 A

480 mOhms

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5 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

STP15N65M5
STMicroelectronics
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STP15N65M5

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511-STP15N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS

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11 A

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

STY112N65M5
STMicroelectronics
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STY112N65M5

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5

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$27.24

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Max247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

96 A

19 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

350 nC

- 55 C

+ 150 C

625 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

8.5 A
9 A
9.4 A
11 A
12 A
13 A
13.9 A
18 A
18.3 A
19 A
22 A
28 A
30 A
33 A
35 A
42 A
58 A
84 A
96 A
130 A

15 mOhms
17 mOhms
19 mOhms
29 mOhms
45 mOhms
63 mOhms
70 mOhms
78 mOhms
79 mOhms
95 mOhms
110 mOhms
125 mOhms
139 mOhms
148 mOhms
190 mOhms
220 mOhms
240 mOhms
279 mOhms
299 mOhms
340 mOhms