RV7E035ATTCR1

ROHM Semiconductor
755-RV7E035ATTCR1
RV7E035ATTCR1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -3.5A Small Signal MOSFET : RV7E035AT is a MOSFET, suitable for switching circuits and High side Load switch.

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Si
SMD/SMT
DFN1212-3
P-Channel
1 Channel
30 V
3.5 A
78 mOhms
20 V
2.5 V
4.3 nC
- 55 C
+ 150 C
1.1 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 8.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 2.5 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 9 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 28 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 8 ns
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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Japón
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor RV7E035AT P-Channel Small Signal MOSFET is a compact, high-performance device designed for low-voltage switching applications. Housed in a space-saving TUMT3 package, the RV7E035AT offers excellent switching characteristics and low on-resistance, making it ideal for portable and battery-powered electronics. This MOSFET features a drain-source voltage (VDS) of -30V, a continuous drain current (ID) of -3.5A, and a low on-resistance [RDS(on)] of just 47mΩ at VGS = -4.5V, ensuring efficient power management and minimal heat generation. The ROHM Semiconductor RV7E035AT is optimized for high-speed switching and is well-suited for load switching, DC-DC converters, and power management circuits in compact electronic devices. A robust design and thermal efficiency also support reliable operation in demanding environments.

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Se espera el 19/10/2026
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Se espera el 18/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22
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