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NSVMSD1819A-RT1G

Name: onsemi NSVMSD1819A-RT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NSVMSD1819A-RT1G
Price: 0.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NSVMSD1819A-RT1G

Fabricante N.º:

NSVMSD1819A-RT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Bipolar Transistor

Hoja de datos:

NSVMSD1819A-RT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$0.05	$150.00
	$0.044	$264.00
	$0.037	$333.00
	$0.031	$744.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SC-70-3
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Corriente CC máxima de colector:	200 mA
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	60 V
Tensión VCBO colector-base:	60 V
Voltaje VEBO emisor-base:	7 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	500 mV
Dp - Disipación de potencia :	150 mW
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	MSD1819A-R
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Corriente continua del colector:	100 mA
Máx. ganancia de CC hFE:	340
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NSVMSD1819A-RT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

MSD1819A-R General Purpose & Low VCE Transistor

onsemi MSD1819A-R General Purpose and Low V_CE Transistor is designed for amplifier applications. This NPN transistor features a high current gain (h_FE) from 210 to 460 and a low V_CE <0.5V. The NPN transistor comes in the SC-70/SOT-323 package, designed for low-power surface mount applications. The silicon epitaxial planar transistor is AEC-Q101 qualified and PPAP capable. This low V_CE transistor is Pb and halogen/BFR-free. Typical applications include reverse battery protection, DC-DC converter output driver, and high-speed switching.