Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
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ZXMP10A13FQTA
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 621-ZXMP10A13FQTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 20Vgs -0.5A ID 625mW
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
100 V
700 mA
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
806 mW
Enhancement
AEC-Q101
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 0.7A
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ZXMP10A13FTA
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 0.7A
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
100 V
700 mA
1 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
3.5 nC
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806 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chanl UMOS
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ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated
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31,443 En existencias
18,000 Se espera el 15/6/2026
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP10A17E6TA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Chanl UMOS
31,443 En existencias
18,000 Se espera el 15/6/2026
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-26-6
P-Channel
1 Channel
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A
ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
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N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP10A18KTC
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 100 Volt 5.2A
10,634 En existencias
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Si
SMD/SMT
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P-Channel
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10.2 W
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
ZXMP10A16KTC
Diodes Incorporated
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854 En existencias
2,500 Se espera el 15/1/2027
N.º de artículo de Mouser 522-ZXMP10A16KTC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 100V MOSFET (UMOS)
854 En existencias
2,500 Se espera el 15/1/2027
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
100 V
4.6 A
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- 20 V, 20 V
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9.76 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
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ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
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2,951 Se espera el 26/6/2026
N.º de artículo de Mouser 621-ZXMP10A17GQTA
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
2,951 Se espera el 26/6/2026
Embalaje alternativo
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
P-Channel
1 Channel
100 V
2.4 A
450 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
10.7 nC
- 55 C
+ 150 C
3.9 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
