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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS IGBTs TO247 2500V 12A IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS IGBTs TO247 2500V 8A XPT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS IGBTs TO264 1700V 30A DIODE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS IGBTs ISOPLUS 2500V 40A DIODE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2 Amps 1000V 7 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V 0.35 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 300V 0.085 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 44 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.045 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V 2 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 67 Amps 100V 0.025 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STD N-CHNL PWR MOSFE 100V, 75A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 33 Amps 500V 0.17 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 300

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.5 Amps 1000V 11 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.02 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30
IXYS Módulos MOSFET MOSFET MINIBLOC single switch / SOT-227B
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 75 Semanas

IXYS IXYA12N250CHV
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage TO-263D2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 77 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Littelfuse IXYH12N250CHV
Littelfuse IGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

Littelfuse IXYL50N170CV1
Littelfuse IGBTs Disc IGBT XPT-Hi Voltage ISOPLUS264
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS IXYT12N250CV1HV
IXYS IGBTs TO268 2500V 12A DIODE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30
IXYS IXTQ3N150M
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS IXYF40N450
IXYS IGBTs I4PAK 4500V 32A IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25