|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R900P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.01
-
7,490En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R900P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
7,490En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.863
|
|
|
$0.684
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.559
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R125P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.14
-
7,612En existencias
-
3,000Se espera el 10/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
7,612En existencias
3,000Se espera el 10/12/2026
|
|
|
$4.14
|
|
|
$2.78
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.29
-
3,692En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,692En existencias
|
|
|
$3.29
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R285P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.10
-
3,752En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R285P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,752En existencias
|
|
|
$3.10
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K0PFD7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.22
-
8,862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0PFD7SAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
8,862En existencias
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.568
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.319
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.384
|
|
|
$0.314
|
|
|
$0.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.77
-
5,703En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R360PFD7SAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
5,703En existencias
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.593
|
|
|
$0.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.542
|
|
|
$0.464
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.43
-
26,992En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R600PFD7SAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
26,992En existencias
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.594
|
|
|
$0.463
|
|
|
$0.367
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.365
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.342
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R600P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.30
-
4,808En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R600P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,808En existencias
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.607
|
|
|
$0.539
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.305
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- ISC0702NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.77
-
8,871En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC0702NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
8,871En existencias
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.749
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.468
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.405
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN60R180P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.75
-
778En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
778En existencias
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.847
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R1K0PFD7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.54
-
996En existencias
-
2,500Se espera el 15/10/2026
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0PFD7SAU
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
996En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026
|
|
|
$1.54
|
|
|
$0.949
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.351
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.395
|
|
|
$0.316
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
- BSZ0902NS
- Infineon Technologies
-
1:
$1.84
-
79En existencias
-
15,000Se espera el 15/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0902NS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
|
|
79En existencias
15,000Se espera el 15/10/2026
|
|
|
$1.84
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.608
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.471
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.543
|
|
|
$0.471
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD133B1W01005E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.22
-
4,648En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD133B1W01005E6
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
4,648En existencias
|
|
|
$0.22
|
|
|
$0.096
|
|
|
$0.077
|
|
|
$0.061
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.028
|
|
|
$0.051
|
|
|
$0.045
|
|
|
$0.042
|
|
|
$0.031
|
|
|
$0.028
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD249B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.20
-
195En existencias
-
15,000Se espera el 11/3/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD249B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
195En existencias
15,000Se espera el 11/3/2027
|
|
|
$0.20
|
|
|
$0.088
|
|
|
$0.068
|
|
|
$0.056
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.025
|
|
|
$0.04
|
|
|
$0.034
|
|
|
$0.032
|
|
|
$0.027
|
|
|
$0.025
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD253B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.23
-
13,113En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD253B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
13,113En existencias
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.101
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.065
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.03
|
|
|
$0.055
|
|
|
$0.048
|
|
|
$0.045
|
|
|
$0.033
|
|
|
$0.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
- ESD259B1W0201E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.23
-
142En existencias
-
15,000Se espera el 3/9/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-ESD259B1W0201E63
|
Infineon Technologies
|
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
|
|
142En existencias
15,000Se espera el 3/9/2026
|
|
|
$0.23
|
|
|
$0.142
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.065
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.03
|
|
|
$0.048
|
|
|
$0.042
|
|
|
$0.039
|
|
|
$0.033
|
|
|
$0.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
15,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R360P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.64
-
2,445En existencias
-
17,500En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,445En existencias
17,500En pedido
Existencias:
2,445 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 7/1/2027
15,000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.64
|
|
|
$0.911
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.393
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R360PFD7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.88
-
196En existencias
-
5,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R360PFD7SAU
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
196En existencias
5,000En pedido
Existencias:
196 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
2,500 Se espera el 4/3/2027
2,500 Se espera el 1/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
23 Semanas
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.631
|
|
|
$0.518
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.577
|
|
|
$0.507
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R600PFD7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.53
-
3,792En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600PFD7SAU
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,792En existencias
|
|
|
$1.53
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.501
|
|
|
$0.407
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.456
|
|
|
$0.377
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R600P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.44
-
218En existencias
-
25,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R600P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
218En existencias
25,000En pedido
Existencias:
218 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 4/2/2027
10,000 Se espera el 1/7/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.587
|
|
|
$0.487
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD80R1K4P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.78
-
10En existencias
-
2,500Se espera el 15/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R1K4P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
10En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026
|
|
|
$1.78
|
|
|
$0.955
|
|
|
$0.734
|
|
|
$0.58
|
|
|
$0.523
|
|
|
$0.435
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
4,613En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
4,613En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.239
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.236
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.207
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- ISC0703NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.17
-
5,202En existencias
-
10,000Se espera el 28/1/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC0703NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
5,202En existencias
10,000Se espera el 28/1/2027
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.733
|
|
|
$0.481
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- ISZ0703NLSATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.79
-
655En existencias
-
25,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ0703NLSATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
655En existencias
25,000En pedido
Existencias:
655 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
15,000 Se espera el 5/11/2026
10,000 Se espera el 26/11/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.746
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.579
|
|
|
$0.456
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.65
-
16,975En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
16,975En pedido
En pedido:
7,975 Se espera el 22/10/2026
9,000 Se espera el 25/3/2027
Plazo de entrega de fábrica:
34 Semanas
|
|
|
$1.65
|
|
|
$0.976
|
|
|
$0.663
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.472
|
|
|
$0.399
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|